DTD723YM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DTD723YM
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.22

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 15 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 260 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 140
   Paquete / Cubierta: SC-105AA VMT3 SOT723

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar DTD723YM

DTD723YM Datasheet (PDF)

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dtd723ye.pdf

200mA / 30V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) DTD723YE / DTD723YM Applications Dimensions (Unit : mm) Inverter, Interface, Driver DTD723YE1.6 0.7 0.550.3( )3 Feature ( ) ( )2 10.2 0.21) VCE (sat) is lower than conventional products. 0.15(1) GND0.5 0.52) Built-in bias resistors enable the configuration of (2) IN1.0EMT3an i

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2N5212

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050