3CA638 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3CA638
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 63
Paquete / Cubierta: TO92
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3CA638 Datasheet (PDF)
3ca638 bc638.pdf

3CA638(BC638) PNP Ptot TC75 1.5 W ICM 1.0 A Tjm 150 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 60 V V(BR)CEO ICE=10mA 60 V V(BR)EBO IEB=10A 5.0 V ICBO VCB=30V 0.1 A IEBO VEB=4V 0.1 A IC=0.5A VCEsat 0.5 V IB=0.05A VCE=2V hFE 63~25
2sb631k 3ca631k.pdf

2SB631K(3CA631K) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose:Low frequency power amplifier,medium speed switching applications . :, 2SD600K(3DA600K) Features:High V ,high current,low saturation voltage and good linearity of h compleme
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Liste
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