G7N60C3D Répertoire mondial des transistors gratuit

 

G7N60C3D - IGBT. Les principales caractéristique des transistors. Caractéristiques techniques

Type: G7N60C3D

Polarité: N-Channel

Puissance maximale dissipée (Pc): 60W

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Vce): 600V

Tension de saturation collecteur émetteur (Vcesat): 2V

Tension Grille – Émetteur (Veg): 20V

Courant de Collecteur en DC (Ic): 14A

Température maximale de jonction en fonctionnement (Tj), °C: 150

Temps de commutation: 8.5

Capacité de sortie (Cc), pF:

Boitier: TO220AB

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G7N60C3D Datasheet (PDF)

5.1. hgtp7n60a4_hgtg7n60a4_hgt1s7n60a4.pdf Size:173K _fairchild_semi

G7N60C3D
G7N60C3D

HGT1S7N60A4S9A, HGTG7N60A4 HGTP7N60A4 Data Sheet September 2004 600V, SMPS Series N-Channel IGBT Features The HGT1S7N60A4S9A, HGTG7N60A4 and HGTP7N60A4 >100kHz Operation at 390V, 7A are MOS gated high voltage switching devices combining 200kHz Operation at 390V, 5A the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These 600V Switching SOA Capability devices have the high i

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