SSIG15N135H Répertoire mondial des transistors gratuit

 

SSIG15N135H - IGBT. Les principales caractéristique des transistors. Caractéristiques techniques

Type: SSIG15N135H

Polarité: N-Channel

Puissance maximale dissipée (Pc): 260

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Vce): 1350

Tension de saturation collecteur émetteur (Vcesat): 1.9

Tension Grille – Émetteur (Veg): 30

Courant de Collecteur en DC (Ic): 30

Température maximale de jonction en fonctionnement (Tj), °C: 175

Temps de commutation:

Capacité de sortie (Cc), pF: 40

Boitier: TO247

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SSIG15N135H
SSIG15N135H

 SSIG15N135H Main Product Characteristics: VCES 1350V VCE(sat) 1.9V (typ.) ID 15A @ TC = 100° C Schema t ic d iagr am TO-247 Features and Benefits:  Advanced Trench-FS Process Technology  Low Collector-Emitter Saturation Voltage, Typical Data is 1.9V@15A  Fast Switching  High Input Impedance  Pb- Free Product  Power Switch Circuit of Induction Co

D'autres types de IGBT... FGW75N60H(75G60H) , FGW75N60HD(75G60HD) , FGW85N60RB(85G60RB) , 1MBH60-100 , FGL40N120AN , BRG15N120D , BRG20N120D , BRG25N120D , FGPF4633 , SSIG20N135H , BT25T120ANF , BT15T120ANF , BT15N120ANF , BT40N60BNF , BT30N60ANF , BT50N60ANF , BT15N60A9F .

 


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IGBT FF1000R17IE4D_B2 | FF1000R17IE4 | FD-DF80R12W1H3_B52 | FD900R12IP4DV | FD900R12IP4D | FD800R33KL2C-K_B5 | FD800R33KF2C-K | FD800R33KF2C | FD800R17KF6C_B2 | FD800R17KE3_B2 |

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