BT40N60BNF Répertoire mondial des transistors gratuit

 

BT40N60BNF - IGBT. Les principales caractéristique des transistors. Caractéristiques techniques

Type: BT40N60BNF

Polarité: N-Channel

Puissance maximale dissipée (Pc): 312

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Vce): 600

Tension de saturation collecteur émetteur (Vcesat): 2.6

Tension Grille – Émetteur (Veg): 20

Courant de Collecteur en DC (Ic): 40

Température maximale de jonction en fonctionnement (Tj), °C: 150

Temps de commutation: 47

Capacité de sortie (Cc), pF: 169

Boitier: TO3PN

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1.1. bt40n60bnf.pdf Size:105K _igbt_a

BT40N60BNF
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Silicon FS Planar IGBT R ○ BT40N60BNF General Description: VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Planar design and advanced FS IC 40 A technology, the 600V FSIGBT offers superior conduction and switching Ptot (TC=25℃) 312 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 2.2 V Features: FS Planar Technology, Positive temperature

1.2. bt40n60bnf.pdf Size:106K _crhj

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Silicon FS Planar IGBT R ○ BT40N60BNF General Description: VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Planar design and advanced FS IC 40 A technology, the 600V FSIGBT offers superior conduction and switching Ptot (TC=25℃) 312 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 2.2 V Features: FS Planar Technology, Positive temperature

D'autres types de IGBT... BRG15N120D , BRG20N120D , BRG25N120D , SSIG15N135H , SSIG20N135H , BT25T120ANF , BT15T120ANF , BT15N120ANF , G7N60C3D , BT30N60ANF , BT50N60ANF , BT15N60A9F , AP25G45EM , AP25G45GEM , AP28G45GEM , AP20G45EH , AP20G45EJ .

 


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