BT50N60ANF Répertoire mondial des transistors gratuit

 

BT50N60ANF - IGBT. Les principales caractéristique des transistors. Caractéristiques techniques

Type: BT50N60ANF

Polarité: N-Channel

Puissance maximale dissipée (Pc): 312

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Vce): 600

Tension de saturation collecteur émetteur (Vcesat): 2.5

Tension Grille – Émetteur (Veg): 20

Courant de Collecteur en DC (Ic): 50

Température maximale de jonction en fonctionnement (Tj), °C: 150

Temps de commutation: 49

Capacité de sortie (Cc), pF: 175

Boitier: TO3PN

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Silicon FS Planar IGBT R ○ BT50N60ANF General Description: VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Trench design and advanced FS IC 50 A technology, the 600V FS IGBT offers superior conduction and switching Ptot TC=25℃) 312 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 1.7 V Features: FS Trench Technology, Positive temperature c

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Silicon FS Planar IGBT R ○ BT50N60ANF General Description: VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Trench design and advanced FS IC 50 A technology, the 600V FS IGBT offers superior conduction and switching Ptot TC=25℃) 312 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 1.7 V Features: FS Trench Technology, Positive temperature c

D'autres types de IGBT... BRG25N120D , SSIG15N135H , SSIG20N135H , BT25T120ANF , BT15T120ANF , BT15N120ANF , BT40N60BNF , BT30N60ANF , IKW50N60H3 , BT15N60A9F , AP25G45EM , AP25G45GEM , AP28G45GEM , AP20G45EH , AP20G45EJ , TGPF30N40P , TGPF30N43P .

 


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