R6018ANJ Répertoire mondial des transistors gratuit

 

R6018ANJ MOSFET - Les principales caractéristique des MOSFET. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors

Type: R6018ANJ

Transistor à effet de champ: MOSFET

Polarité: N

Puissance maximale dissipée (Pd): 100

Tension drain-source de rupture (Vds): 600

Tension grille-source de rupture (Vgs): 30

Courant de drain maximum supportable (Id): 18

Température maximale de jonction en fonctionnement (Tj), °C: 150

Temps de commutation (tr): 85

Capacité de sortie (Cd), pF: 1400

Résistance drain-source RDS (activé), Ohm: 0.21

Boitier: LPTS

Recherche équivalences (un remplaçant pour le transistor R6018ANJ )

R6018ANJ Datasheet (PDF)

1.1. r6018anj.pdf Size:1172K _rohm

R6018ANJ
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Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET R6018ANJ ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 ?Features 1.24 1) Low on-resistance. 2) High-speed switching. 2.54 0.4 0.78 3) Wide SOA. 2.7 5.08 (1) Gate (1) (2) (3) 4) Drive circuits can be simple. (2) Drain (3) Source 5) Parallel use is easy. ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inn

3.1. r6018anx.pdf Size:1063K _rohm

R6018ANJ
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R6018ANX Nch 600V 18A Power MOSFET Datasheet ?Outline VDSS 600V TO-220FM RDS(on) (Max.) 0.27? ID 18A PD 50W (1)(2)(3) ?Features ?Inner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (3) Source 4) Drive circuits can be simple. *1 Body Diode 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free lead plating ; R

D'autres types de transistors... R6010ANX , R6012ANJ , R6012ANX , R6012FNX , R6015ANJ , R6015ANX , R6015ANZ , R6015FNX , BUZ90 , R6018ANX , R6020ANJ , R6020ANX , R6020ANZ , R6020FNX , R6025ANZ , R6046ANZ , R6046FNZ .

 


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