BFR90A Répertoire mondial des transistors gratuit

 

BFR90A - Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors

Type: BFR90A

Matériau utilisé: Si

Polarité du transistor: NPN

Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 0.2

Tension collecteur–base (maximale) Vcb: 20

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Vce): 15

Tension émetteur–base (maximale) Veb: 3

Courant collecteur maximal (Ic): 0.025

Température maximale de jonction (Tj), °C: 150

Fréquence maximale de fonctionnement (fT): 2500

Capacite collecteur (Cc), pF: 0.8

Gain en courant DC hFE (hfe): 40

Boitier: TO51

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MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BFR90/D The RF Line NPN Silicon BFR90 High-Frequency Transistor Designed primarily for use in highgain, lownoise, smallsignal amplifiers. Also used in applications requiring fast switching times. High CurrentGain Bandwidth Product fT = 5.0 GHz (Typ) @ IC = 14 mA fT = 5.0 GHz @ 14 mA Low Noise Figure HIGHFREQU

D'autres types de transistors... BFR88A , BFR88B , BFR88TO5 , BFR89 , BFR89A , BFR89B , BFR89TO5 , BFR90 , 2N60 , BFR90B , BFR90H , BFR91 , BFR91A , BFR91H , BFR92 , BFR92A , BFR92ALT1 .

 


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