RN2609 Répertoire mondial des transistors gratuit

 

RN2609 - Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors

Type: RN2609

Matériau utilisé: Si

Polarité du transistor: PNP

Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 0.3

Tension collecteur–base (maximale) Vcb: 50

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Vce): 50

Tension émetteur–base (maximale) Veb: 15

Courant collecteur maximal (Ic): 0.1

Température maximale de jonction (Tj), °C: 150

Fréquence maximale de fonctionnement (fT): 200

Capacite collecteur (Cc), pF: 3

Gain en courant DC hFE (hfe): 70

Boitier: SOT26_SC74_SM6

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RN2609 Datasheet (PDF)

1.1. rn2607-rn2609.pdf Size:145K _toshiba

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RN2607~RN2609 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2607,RN2608,RN2609 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit in mm And Driver Circuit Applications Including two devices in SM6 (super mini type with 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1

5.1. rn2601-rn2606.pdf Size:154K _toshiba

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RN2601~RN2606 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2601,RN2602,RN2603 RN2604,RN2605,RN2606 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit in mm And Driver Circuit Applications Including two devices in SM6 (super mini type with 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process

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