CTLT5551-M832D Répertoire mondial des transistors gratuit

 

CTLT5551-M832D - Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors

Type: CTLT5551-M832D

Marquage: CFS

Matériau utilisé: Si

Polarité du transistor: NPN

Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 1.65

Tension collecteur–base (maximale) Vcb: 180

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Vce): 160

Tension émetteur–base (maximale) Veb: 6

Courant collecteur maximal (Ic): 0.6

Température maximale de jonction (Tj), °C: 150

Fréquence maximale de fonctionnement (fT): 100

Capacite collecteur (Cc), pF: 6

Gain en courant DC hFE (hfe): 80

Boitier: TLM832D

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CTLT5551-M832D Datasheet (PDF)

1.1. ctlt5551-m832d.pdf Size:407K _central

CTLT5551-M832D
CTLT5551-M832D

CTLT5551-M832D SURFACE MOUNT www.centralsemi.com DUAL, HIGH VOLTAGE DESCRIPTION: GENERAL PURPOSE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLT5551-M832D NPN SILICON TRANSISTORS is a Dual NPN General Purpose, High Voltage Amplifier Transistor packaged in the small, thermally efficient, 3x2mm Tiny Leadless Module (TLMTM) surface mount case. These devices are designed for applications where smal

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