CTLT953-M833 Répertoire mondial des transistors gratuit

 

CTLT953-M833 - Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors

Type: CTLT953-M833

Marquage: CHA4

Matériau utilisé: Si

Polarité du transistor: PNP

Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 4.5

Tension collecteur–base (maximale) Vcb: 140

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Vce): 100

Tension émetteur–base (maximale) Veb: 6

Courant collecteur maximal (Ic): 5

Température maximale de jonction (Tj), °C: 150

Fréquence maximale de fonctionnement (fT): 150

Capacite collecteur (Cc), pF: 45

Gain en courant DC hFE (hfe): 100

Boitier: TLM833

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CTLT953-M833 Datasheet PDF:

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CTLT953-M833
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CTLT953-M833S www.centralsemi.com SURFACE MOUNT HIGH CURRENT DESCRIPTION: PNP SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLT953-M833S is a high performance 5.0A high current PNP transistor designed for applications where small size and operational efficiency are prime requirements. With a maximum power dissipation of 4.5W, and a very small package footprint, this device is 80

1.2. ctlt953-m833.pdf Size:596K _central

CTLT953-M833
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CTLT953-M833 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT HIGH CURRENT DESCRIPTION: PNP SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLT953-M833 is a high performance 5.0A High Current PNP Transistor designed for applications where small size and operational efficiency are prime requirements. With a maximum power dissipation of 4.5W, and a very small package footprint, this device is 80%

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CTLT953-M833
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