MP6301 Répertoire mondial des transistors gratuit

 

MP6301 - Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors

Type: MP6301

Matériau utilisé: Si

Polarité du transistor: NPN*PNP

Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 2

Tension collecteur–base (maximale) Vcb: 100

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Vce): 80

Tension émetteur–base (maximale) Veb: 8

Courant collecteur maximal (Ic): 3

Température maximale de jonction (Tj), °C: 150

Fréquence maximale de fonctionnement (fT): 100

Capacite collecteur (Cc), pF: 20

Gain en courant DC hFE (hfe): 1000

Boitier: 2-32C1F

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MP6301 Datasheet (PDF)

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MP6301
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MP6301 TOSHIBA Power Transistor Module Silicon NPN&PNP Epitaxial Type (Darlington power transistor 6 in 1) MP6301 Industrial Applications High Power Switching Applications Unit: mm 3-Phase Motor Drive and Bipolar Drive of Pulse Motor • Small package by full molding (SIP 12 pin) • High collector power dissipation (6 devices operation) : P = 4.4 W (Ta = 25°C) T • High c

1.2. mp6301_en_wm_20061027.pdf Size:153K _toshiba

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MP6301 TOSHIBA Power Transistor Module Silicon NPN&PNP Epitaxial Type (Six Darlington Power Transistors inOne) MP6301 Industrial Applications High Power Switching Applications Unit: mm 3-Phase Motor Drive and Bipolar Drive of Pulse Motor Small package by full molding (SIP 12 pins) High collector power dissipation (6-device operation) : PT = 4.4 W (Ta = 25C) High collect

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