MJW3281AG Répertoire mondial des transistors gratuit

 

MJW3281AG - Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors

Type: MJW3281AG

Marquage: MJW3281A

Matériau utilisé: Si

Polarité du transistor: NPN

Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 200

Tension collecteur–base (maximale) Vcb: 230

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Vce): 230

Tension émetteur–base (maximale) Veb: 5

Courant collecteur maximal (Ic): 15

Température maximale de jonction (Tj), °C: 150

Fréquence maximale de fonctionnement (fT): 30

Capacite collecteur (Cc), pF: 600

Gain en courant DC hFE (hfe): 50

Boitier: TO247

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MJW3281AG Datasheet (PDF)

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MJW3281A (NPN) MJW1302A (PNP) Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors http://onsemi.com The MJW3281A and MJW1302A are PowerBaset power transistors for high power audio, disk head positioners and other linear 15 AMPERES applications. COMPLEMENTARY Features SILICON POWER TRANSISTORS • Designed for 100 W Audio Frequency 230 VOLTS 200 WATTS • Gain Complementary:

2.1. mjw3281a_mjw1302a.pdf Size:154K _onsemi

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MJW3281A (NPN) MJW1302A (PNP) Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors http://onsemi.com The MJW3281A and MJW1302A are PowerBaset power transistors for high power audio, disk head positioners and other linear 15 AMPERES applications. COMPLEMENTARY Features SILICON POWER TRANSISTORS Designed for 100 W Audio Frequency 230 VOLTS 200 WATTS Gain Complementary: Gain Li

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