GT5G103 Tutti i transistor e i loro equivalenti

 

GT5G103 IGBT. Curve Caratteristiche. Datasheet.

Tipo: GT5G103

Struttura interna di un IGBT: N-Channel

Potenza massima dissipabile (Pc): 20W

Tensione tra collettore ed emettitore (Vce): 400V

Tensione di saturazione drain source (Vcesat): 8V

Massima tensione gate-source (Veg): 4.5V

Massima corrente continuativa (Ic): 130A

Temperatura di giunzione (Tj), °C: 150

Tempo di salita del fronte di corrente: 2000

Capacità di uscita (Cc), pF:

Pack: DP

Equivalente per i GT5G103

GT5G103 Datasheet (PDF)

5.1. gt5g133_100115.pdf Size:224K _toshiba

GT5G103
GT5G103

GT5G133 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT5G133 Strobe Flash Applications Unit: mm Unit: mm Enhancement-mode Low gate drive voltage: VGE = 2.5 V (min) (@IC = 130 A) Peak collector current: IC = 130 A (max) Compact and Thin (TSON-8) package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-emitter voltage

Altri tipi di IGBT... GT50L101 , GT50M101 , GT50Q101 , GT50S101 , GT50T101 , GT5G101 , GT5G102 , GT5G102LB , IRG4PC40U , GT5G103LB , GT60J101 , GT60M101 , GT60M102 , GT60M103 , GT60M301 , GT60M302 , GT60M303 .

 


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