GT60M102 Tutti i transistor e i loro equivalenti

 

GT60M102 IGBT. Curve Caratteristiche. Datasheet.

Tipo: GT60M102

Struttura interna di un IGBT: N-Channel

Potenza massima dissipabile (Pc):

Tensione tra collettore ed emettitore (Vce): 900V

Tensione di saturazione drain source (Vcesat): 3.8V

Massima tensione gate-source (Veg):

Massima corrente continuativa (Ic): 60A

Temperatura di giunzione (Tj), °C: 150

Tempo di salita del fronte di corrente: 400

Capacità di uscita (Cc), pF:

Pack: TOP3

Equivalente per i GT60M102

GT60M102 Datasheet (PDF)

5.1. gt60m303.pdf Size:420K _toshiba

GT60M102
GT60M102

GT60M303 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT60M303 HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS Unit: mm Fourth generation IGBT FRD included between emitter and collector Enhancement mode type High speed IGBT : tf = 0.25?s (TYP.) FRD : trr = 0.7?s (TYP.) Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.1V (TYP.) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHAR

Altri tipi di IGBT... GT50T101 , GT5G101 , GT5G102 , GT5G102LB , GT5G103 , GT5G103LB , GT60J101 , GT60M101 , IRG4PH50UD , GT60M103 , GT60M301 , GT60M302 , GT60M303 , GT75G101 , GT80J101 , GT8G101 , GT8G102 .

 


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