GT80J101 Tutti i transistor e i loro equivalenti

 

GT80J101 IGBT. Curve Caratteristiche. Datasheet.

Tipo: GT80J101

Struttura interna di un IGBT: N-Channel

Potenza massima dissipabile (Pc):

Tensione tra collettore ed emettitore (Vce): 600V

Tensione di saturazione drain source (Vcesat): 3.5V

Massima tensione gate-source (Veg): 15V

Massima corrente continuativa (Ic): 80A

Temperatura di giunzione (Tj), °C: 150

Tempo di salita del fronte di corrente: 350

Capacità di uscita (Cc), pF:

Pack: TO264

Equivalente per i GT80J101

GT80J101 Datasheet (PDF)

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Altri tipi di IGBT... GT60J101 , GT60M101 , GT60M102 , GT60M103 , GT60M301 , GT60M302 , GT60M303 , GT75G101 , G30N60C3D , GT8G101 , GT8G102 , GT8G103 , GT8G103LB , GT8G121 , GT8G121LB , GT8J101 , GT8J102 .

 


GT80J101
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