G7N60C3D トランジスタ データシート

 

G7N60C3D トランジスタ データシート

品 名: G7N60C3D

IGBT 種 類: N-Channel

全許容損失 (Pc): 60W

コレクタ・エミッタ間電圧 (Vce): 600V

コレクタ・エミッタ間飽和電圧 (Vcesat): 2V

ゲ ー ト ・ エ ミ ッ タ 電 圧 (Veg): 20V

コレクタ電流(直流) (Ic): 14A

最大ジャンクション温度 (Tj), °C: 150

ターンオン上昇時間: 8.5

出力容量 (Cc), pF:

パッケージ: TO220AB

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G7N60C3D Datasheet (PDF)

5.1. hgtp7n60a4 hgtg7n60a4 hgt1s7n60a4.pdf Size:173K _fairchild_semi

G7N60C3D
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HGT1S7N60A4S9A, HGTG7N60A4 HGTP7N60A4 Data Sheet September 2004 600V, SMPS Series N-Channel IGBT Features The HGT1S7N60A4S9A, HGTG7N60A4 and HGTP7N60A4 >100kHz Operation at 390V, 7A are MOS gated high voltage switching devices combining 200kHz Operation at 390V, 5A the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These 600V Switching SOA Capability devices have the high i

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