GT60M303 トランジスタ データシート

 

GT60M303 トランジスタ データシート

品 名: GT60M303

IGBT 種 類: N-Channel

全許容損失 (Pc):

コレクタ・エミッタ間電圧 (Vce): 900V

コレクタ・エミッタ間飽和電圧 (Vcesat): 2.7V

ゲ ー ト ・ エ ミ ッ タ 電 圧 (Veg): 15V

コレクタ電流(直流) (Ic): 60A

最大ジャンクション温度 (Tj), °C: 150

ターンオン上昇時間: 400

出力容量 (Cc), pF:

パッケージ: TO264

GT60M303 トランジスタ パラメトリック検索

GT60M303 Datasheet (PDF)

1.1. gt60m303.pdf Size:420K _toshiba

GT60M303
GT60M303

GT60M303 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT60M303 HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS Unit: mm Fourth generation IGBT FRD included between emitter and collector Enhancement mode type High speed IGBT : tf = 0.25?s (TYP.) FRD : trr = 0.7?s (TYP.) Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.1V (TYP.) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHAR

データーシート ... GT5G103 , GT5G103LB , GT60J101 , GT60M101 , GT60M102 , GT60M103 , GT60M301 , GT60M302 , GT15Q101 , GT75G101 , GT80J101 , GT8G101 , GT8G102 , GT8G103 , GT8G103LB , GT8G121 , GT8G121LB .

 


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