BT15T120ANF トランジスタ データシート

 

BT15T120ANF トランジスタ データシート

品 名: BT15T120ANF

IGBT 種 類: N-Channel

全許容損失 (Pc): 186

コレクタ・エミッタ間電圧 (Vce): 1200

コレクタ・エミッタ間飽和電圧 (Vcesat): 2.5

ゲ ー ト ・ エ ミ ッ タ 電 圧 (Veg): 20

コレクタ電流(直流) (Ic): 30

最大ジャンクション温度 (Tj), °C: 150

ターンオン上昇時間: 16

出力容量 (Cc), pF: 52

パッケージ: TO3PN

BT15T120ANF トランジスタ パラメトリック検索

BT15T120ANF 说明书

1.1. bt15t120anf.pdf Size:557K _igbt_a

BT15T120ANF
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Silicon FS Planar IGBT R ○ BT15T120ANF General Description: VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced FS(field IC 15 A stop) technology, the 1200V Trench FS-IGBT offers superior conduction Ptot (TC=25℃) 186 W and switching performances, high avalanche ruggedness. VCE(SAT) 1.95 V Features: Trench FS Technology, Positive temperature coe

1.2. bt15t120anf.pdf Size:557K _crhj

BT15T120ANF
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Silicon FS Planar IGBT R ○ BT15T120ANF General Description: VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced FS(field IC 15 A stop) technology, the 1200V Trench FS-IGBT offers superior conduction Ptot (TC=25℃) 186 W and switching performances, high avalanche ruggedness. VCE(SAT) 1.95 V Features: Trench FS Technology, Positive temperature coe

データーシート ... 1MBH60-100 , FGL40N120AN , BRG15N120D , BRG20N120D , BRG25N120D , SSIG15N135H , SSIG20N135H , BT25T120ANF , G20N60B3D , BT15N120ANF , BT40N60BNF , BT30N60ANF , BT50N60ANF , BT15N60A9F , AP25G45EM , AP25G45GEM , AP28G45GEM .

 


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