BT30N60ANF トランジスタ データシート

 

BT30N60ANF トランジスタ データシート

品 名: BT30N60ANF

IGBT 種 類: N-Channel

全許容損失 (Pc): 312

コレクタ・エミッタ間電圧 (Vce): 600

コレクタ・エミッタ間飽和電圧 (Vcesat): 2.5

ゲ ー ト ・ エ ミ ッ タ 電 圧 (Veg): 20

コレクタ電流(直流) (Ic): 30

最大ジャンクション温度 (Tj), °C: 150

ターンオン上昇時間: 36

出力容量 (Cc), pF: 140

パッケージ: TO3PN

BT30N60ANF トランジスタ パラメトリック検索

BT30N60ANF PDF doc:

1.1. bt30n60anf.pdf Size:103K _igbt_a

BT30N60ANF
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Silicon FS Planar IGBT R ○ BT30N60ANF General Description: VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Planar design and advanced FS IC 30 A technology, the 600V FSIGBT offers superior conduction and switching Ptot (TC=25℃) 312 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 2.0 V Features: FS Planar Technology, Positive temperature

1.2. bt30n60anf.pdf Size:105K _crhj

BT30N60ANF
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Silicon FS Planar IGBT R ○ BT30N60ANF General Description: VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Planar design and advanced FS IC 30 A technology, the 600V FSIGBT offers superior conduction and switching Ptot (TC=25℃) 312 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 2.0 V Features: FS Planar Technology, Positive temperature

データーシート ... BRG20N120D , BRG25N120D , SSIG15N135H , SSIG20N135H , BT25T120ANF , BT15T120ANF , BT15N120ANF , BT40N60BNF , RJP30H1DPD , BT50N60ANF , BT15N60A9F , AP25G45EM , AP25G45GEM , AP28G45GEM , AP20G45EH , AP20G45EJ , TGPF30N40P .

 


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IGBT FF300R07ME4_B11 | FF300R07KE4 | FF300R06KE3_B2 | FF300R06KE3 | FF225R17ME4_B11 | FF225R17ME4 | FF225R17ME3 | FF225R12MS4 | FF225R12ME4_B11 | FF225R12ME4 |

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