BT50N60ANF トランジスタ データシート

 

BT50N60ANF トランジスタ データシート

品 名: BT50N60ANF

IGBT 種 類: N-Channel

全許容損失 (Pc): 312

コレクタ・エミッタ間電圧 (Vce): 600

コレクタ・エミッタ間飽和電圧 (Vcesat): 2.5

ゲ ー ト ・ エ ミ ッ タ 電 圧 (Veg): 20

コレクタ電流(直流) (Ic): 50

最大ジャンクション温度 (Tj), °C: 150

ターンオン上昇時間: 49

出力容量 (Cc), pF: 175

パッケージ: TO3PN

BT50N60ANF トランジスタ パラメトリック検索

BT50N60ANF PDF doc:

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BT50N60ANF
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Silicon FS Planar IGBT R ○ BT50N60ANF General Description: VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Trench design and advanced FS IC 50 A technology, the 600V FS IGBT offers superior conduction and switching Ptot TC=25℃) 312 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 1.7 V Features: FS Trench Technology, Positive temperature c

1.2. bt50n60anf.pdf Size:106K _crhj

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Silicon FS Planar IGBT R ○ BT50N60ANF General Description: VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Trench design and advanced FS IC 50 A technology, the 600V FS IGBT offers superior conduction and switching Ptot TC=25℃) 312 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 1.7 V Features: FS Trench Technology, Positive temperature c

データーシート ... BRG25N120D , SSIG15N135H , SSIG20N135H , BT25T120ANF , BT15T120ANF , BT15N120ANF , BT40N60BNF , BT30N60ANF , IKW50N60H3 , BT15N60A9F , AP25G45EM , AP25G45GEM , AP28G45GEM , AP20G45EH , AP20G45EJ , TGPF30N40P , TGPF30N43P .

 


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