P1610AD トランジスタ データシート

 

P1610AD トランジスタ データシート

品 名: P1610AD

MOSFET

MOSFET 種 類: N

許 容 損 失 (Pd): 83 W

ド レ イ ン ・ ソ ー ス 電 圧 (Vds): 110 V

ゲ ー ト ・ ソ ー ス 電 圧 (Vgs): 20 V

ド レ イ ン 電 流 (直 流) (Id): 45 A

最大ジャンクション温度 (Tj): 150 °C

立 上 り 時 間 (tr): 90 nS

出 力 容 量 (Cd): 255 pF

直 流 オ ン 抵 抗 (Rds): 0.016 Ohm

パ ッ ケ ー ジ : TO252

P1610AD トランジスタ パラメトリック検索

 

P1610AD Datasheet (PDF)

1.1. p1610ad.pdf Size:508K _unikc

P1610AD
P1610AD

P1610AD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 16mΩ @VGS = 10V 110V 45A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ° C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 110 V VGS Gate-Source Voltage ±20 TC= 25 ° C 45 ID Continuous Drain Current TC= 100 ° C 28 A IDM 80 Pulsed Drain Current1

4.1. p1610at.pdf Size:733K _unikc

P1610AD
P1610AD

P1610AT N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 16mΩ @VGS = 10V 110V 51A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ° C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage ±20 V TC = 25 ° C 51 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 ° C 32 A IDM 150 Pulsed Drain Current1,2 IAS Avalanche Current 12

データーシート... P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF , P1606BD , IRF830 , P1610AT , P1703BDG , P2610ADG , P2610AI , P2610ATFG , P2610ATG , P2610BD , P2610BS .

 


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