BR3DG536K トランジスタ データシート

 

BR3DG536K トランジスタ データシート

品名: BR3DG536K

現品表示 : BRA536

材料: Si

種類: NPN

コレクタ損失 (Pc): 0.4 W

コレクタ·ベース間電圧 (Vcb): 55 V

コレクタ·エミッタ間電圧 (Vce): 50 V

エミッタ·ベース間電圧 (Veb): 5 V

コレクタ電流(直流) (Ic): 0.1 A

最大ジャンクション温度 (Tj): 150 °C

トランジション周波数(fT): 100 MHz

コレクタ出力容量 (Cob): 3.5 pF

直流電流増幅率 (hfe): 60

パッケージ: TO92

BR3DG536K トランジスタ パラメトリック検索

 

BR3DG536K Datasheet (PDF)

1.1. br3dg536k.pdf Size:620K _update

BR3DG536K
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2SC536(BR3DG536K) 2SC536K(BR3DG536K) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-92 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. 特征 / Features 高电流和宽阔的安全工作区。 Large current capacity and wide ASO 用途 / Applications 用于小信号一般放大电路。 Small signal general purpose amplifier appl

5.1. br3dg1684.pdf Size:309K _update

BR3DG536K
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2SC1684(BR3DG1684) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-92 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. 特征 / Features 共发射极直流电流放大系数大,饱和压降低。 High hFE, low VCE(sat). 用途 / Applications 用于一般放大。 General purpose amplifier. 内部等效电路 / Equivalent Circuit

5.2. br3dg227k.pdf Size:451K _update

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KSD227(BR3DG227K) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-92 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. 特征 / Features 与 KSA642(BR3CG642K)互补,集电极耗散功率高。 Complement to KSA642(BR3CG642K),PC=400Mw. 用途 / Applications 用于低频放大。 Low frequency power amplifier. 内部等效电路

データーシート ... BR3DD13009X7R , BR3DD13009X8F , BR3DD13009X9P , BR3DD13009Z8F , BR3DD5555R , BR3DD6802Q , BR3DG1684 , BR3DG227K , 2N3906 , BRF90G , BSV52LT1G , BSV62SMD , BSV62SMD05 , BSV64SMD , BSX20DCSM , BSX33CSM , BSX33DCSM .

 


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