Скачать даташит для aon5802:
AON5802 Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AON5802 uses advanced trench technology to provide VDS (V) = 30V excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate ID = 7.2A (VGS = 4.5V) voltages as low as 2.5V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is RDS(ON)
Ключевые слова - ALL TRANSISTORS DATASHEET
aon5802.pdf Проектирование, MOSFET, Мощность
aon5802.pdf Соответствует RoHS, Сервис, Симисторы, Полупроводник
aon5802.pdf База данных, Инновации, ИМС, Транзисторы
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfz44n | irf3205 | irfz44n datasheet | 2n4401 | bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet