Скачать даташит для aot12n30_aotf12n30:

AOT12N30/AOTF12N30 300V,11.5A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 350V@150 The AOT12N30/AOTF12N30 is fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed ID (at VGS=10V) 11.5A to deliver high levels of performance and robustness in RDS(ON) (at VGS=10V)

Ключевые слова - ALL TRANSISTORS DATASHEET

 aot12n30 aotf12n30.pdf Проектирование, MOSFET, Мощность

 aot12n30 aotf12n30.pdf Соответствует RoHS, Сервис, Симисторы, Полупроводник

 aot12n30 aotf12n30.pdf База данных, Инновации, ИМС, Транзисторы