Справочник транзисторов

 

Скачать даташит для agm01t08ll:

agm01t08llagm01t08ll

AGM01T08LL Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 85 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =80V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS I GSS 100 V Gate Threshold Voltage V =V ,I =250 A -- DS GS D GS(th) 2.0 4.0 V m V =10V, I =100A R Drain-Source On-State Resistance GS D -- 1.2 1.5 DS(on) Dynamic Characteristics -- 13855 -- Ciss Input Capacitance pF VDS=40V,VGS=0V, C Output Capacitance oss F=1MHZ -- -- 2212 pF C Reverse Transfer Capacitance rss -- -- pF 752 =0V, VGS Rg Gate resistance -- 1.9 -- =0V,f=1.0MHz VDS Switching Times -- -- td(on) Turn-on Delay Time nS 40 t Turn-on Rise Time -- -- r nS 122 VGS=10V,VDS=42V, ID=50A,RG

 

Ключевые слова - ALL TRANSISTORS DATASHEET

 agm01t08ll.pdf Проектирование, MOSFET, Мощность

 agm01t08ll.pdf Соответствует RoHS, Сервис, Симисторы, Полупроводник

 agm01t08ll.pdf База данных, Инновации, ИМС, Транзисторы

 

 
Back to Top

 


 
.