Скачать даташит для agm65r380f:

AGM65R380F Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A GS D 650 -- -- V Zero Gate Voltage Drain Current V =650V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS I GSS 100 VGS(th) Gate Threshold Voltage V =V ,I =250 A DS GS D 2.0 3.7 5.0 V R V =10V, I =5A DS(on) Drain-Source On-State Resistance GS D -- 0.34 0.43 Dynamic Characteristics -- -- C Input Capacitance pF iss 703 VDS=40V, C Output Capacitance VGS=0V, oss -- -- pF 194 F=1MHZ C Reverse Transfer Capacitance rss -- -- pF 4.5 =0V, VGS Rg Gate resistance -- 2.8 -- =0V,f=1.0MHz VDS Switching Times Turn-on Delay Time -- -- t d(on) nS 13 t Turn-on Rise Time -- -- r nS 6.0 VDD=325V, VGS=10V, ID=5A,

Ключевые слова - ALL TRANSISTORS DATASHEET

 agm65r380f.pdf Проектирование, MOSFET, Мощность

 agm65r380f.pdf Соответствует RoHS, Сервис, Симисторы, Полупроводник

 agm65r380f.pdf База данных, Инновации, ИМС, Транзисторы