Скачать даташит для s9013:

ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD S9013 MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base voltage V 40 Vdc CBO - -Collector-Emitter Voltage V 30 Vdc CEO - Emitter-Base voltage V 5.0 Vdc EBO - Collector Current-Continuous Ic 500 mAdc - Base-Current I 50 mAdc B Collector Power Dissipation P 300 mW C Junction Temperature T 150 j Storage Temperature Range -55 150 T stg DEVICE MARKING S9013=J3 HFE 200-300 1 ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD S9013 ELECTRICAL CHARACRTERISTICS (T =25 un

Ключевые слова - ALL TRANSISTORS DATASHEET

 s9013.pdf Проектирование, MOSFET, Мощность

 s9013.pdf Соответствует RoHS, Сервис, Симисторы, Полупроводник

 s9013.pdf База данных, Инновации, ИМС, Транзисторы