Скачать даташит для 2sc6120:

2SC6120 FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION Unit mm OUTLINE DRAWING 2SC6120 is a silicon NPN epitaxial type transistor designed with 2.1 high collector current, low VCE sat . 0.425 1.25 0.425 FEATURE High collector current IC MAX =600mA Low collector to emitter saturation voltage VCE sat

Ключевые слова - ALL TRANSISTORS DATASHEET

 2sc6120.pdf Проектирование, MOSFET, Мощность

 2sc6120.pdf Соответствует RoHS, Сервис, Симисторы, Полупроводник

 2sc6120.pdf База данных, Инновации, ИМС, Транзисторы