Скачать даташит для 2sd882-r_2sd882-q_2sd882-p_2sd882-e:

D882 NPN Transistors Features 3 NPN transistor High current output up to 3A 2 Low Saturation Voltage Complement to 2SB772 1.Base 1 2.Collector 3.Emitter Simplified outline(SOT-89) Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector to Base Voltage VCBO 40 V Collector to Emitter Voltage VCEO 30 V Emitter to Base Voltage VEBO 6 V Collector Current to Continuous IC 3 A Collector Dissipation Pc 0.5 W Junction Temperature TJ 150 Storage Temperature Tstg -55 to 150 Electrical Characteristics Ta = 25 Parameter Symbol Testconditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage VCBO Ic=100uA ,IE=0 40 V Collector-emitter breakdown voltage VCEO IC= 10 mA , IB=0 30 V Emitter-base breakdown voltage VEBO IE= 100 uA ,IC=0 6 V Collector cut-off current ICBO VCB=40 V , IE=0 1 uA Collector cut-off current ICEO VCE=30 V , IB=0 10 uA

Ключевые слова - ALL TRANSISTORS DATASHEET

 2sd882-r 2sd882-q 2sd882-p 2sd882-e.pdf Проектирование, MOSFET, Мощность

 2sd882-r 2sd882-q 2sd882-p 2sd882-e.pdf Соответствует RoHS, Сервис, Симисторы, Полупроводник

 2sd882-r 2sd882-q 2sd882-p 2sd882-e.pdf База данных, Инновации, ИМС, Транзисторы