Скачать даташит для ap6g04s:

AP6G04S 40V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP6G04S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =6A DS DR

Ключевые слова - ALL TRANSISTORS DATASHEET

 ap6g04s.pdf Проектирование, MOSFET, Мощность

 ap6g04s.pdf Соответствует RoHS, Сервис, Симисторы, Полупроводник

 ap6g04s.pdf База данных, Инновации, ИМС, Транзисторы