Справочник IGBT. RJH60D3DPP-M0

 

RJH60D3DPP-M0 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: RJH60D3DPP-M0
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 35 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 16 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 60 pF
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для RJH60D3DPP-M0

 

 

RJH60D3DPP-M0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:98K  renesas
 rjh60d3dpp-m0.pdf

RJH60D3DPP-M0 RJH60D3DPP-M0

Preliminary Datasheet RJH60D3DPP-M0 R07DS0162EJ0400600V - 17A - IGBT Rev.4.00Application: Inverter Apr 19, 2012Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 17 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer tec

 4.1. Size:82K  renesas
 r07ds0162ej rjh60d3dpp.pdf

RJH60D3DPP-M0 RJH60D3DPP-M0

Preliminary Datasheet RJH60D3DPP-M0 R07DS0162EJ0300Silicon N Channel IGBT Rev.3.00Application: Inverter Mar 09, 2011Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 17 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafe

 5.1. Size:82K  renesas
 r07ds0161ej rjh60d3dpe.pdf

RJH60D3DPP-M0 RJH60D3DPP-M0

Preliminary Datasheet RJH60D3DPE R07DS0161EJ0400Silicon N Channel IGBT Rev.4.00Application: Inverter Mar 09, 2011Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 17 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer t

 5.2. Size:98K  renesas
 rjh60d3dpe.pdf

RJH60D3DPP-M0 RJH60D3DPP-M0

Preliminary Datasheet RJH60D3DPE R07DS0161EJ0500600V - 17A - IGBT Rev.5.00Application: Inverter Apr 19, 2012Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 17 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer techno

Другие IGBT... RJH60F6DPK , RJH60F7ADPK , RJH60F5DPK , RJH60C9DPD , RJH60D1DPP-M0 , RJH60D1DPE , RJH60D2DPP-M0 , RJH60D2DPE , HGTG30N60A4 , RJH60D3DPE , RJP60D0DPK , RJH60D5DPK , RJH60D6DPK , RJH60D7DPK , RJH60D0DPK , RJP60D0DPM , TIG110BF .

 

 
Back to Top