RJH60D0DPK - аналоги и даташиты транзистора IGBT

 

RJH60D0DPK - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование: RJH60D0DPK
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 45 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 70 pF
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для RJH60D0DPK

 

RJH60D0DPK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:97K  renesas
 rjh60d0dpk.pdf pdf_icon

RJH60D0DPK

Preliminary Datasheet RJH60D0DPK R07DS0155EJ0400 600V - 22A - IGBT Rev.4.00 Application Inverter Apr 19, 2012 Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 22 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer techno

 ..2. Size:82K  renesas
 r07ds0155ej rjh60d0dpk.pdf pdf_icon

RJH60D0DPK

Preliminary Datasheet RJH60D0DPK R07DS0155EJ0300 Silicon N Channel IGBT Rev.3.00 Application Inverter Nov 15, 2010 Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 22 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer t

 5.1. Size:97K  renesas
 rjh60d0dpm.pdf pdf_icon

RJH60D0DPK

Preliminary Datasheet RJH60D0DPM R07DS0156EJ0300 600V - 22A - IGBT Rev.3.00 Application Inverter Apr 19, 2012 Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 22 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer techno

 5.2. Size:82K  renesas
 rjh60d0dpq-a0.pdf pdf_icon

RJH60D0DPK

Preliminary Datasheet RJH60D0DPQ-A0 R07DS0526EJ0100 600 V - 22 A - IGBT Rev.1.00 Application Inverter Aug 26, 2011 Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 22 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer t

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJH60D2DPP-M0 , RJH60D2DPE , RJH60D3DPP-M0 , RJH60D3DPE , RJP60D0DPK , RJH60D5DPK , RJH60D6DPK , RJH60D7DPK , GT30F132 , RJP60D0DPM , TIG110BF , TIG110GMH , TIG111BF , TIG111GMH , TIG052TS , TIG056BF , TIG058E8 .

 

 
Back to Top

 


 
.