Справочник IGBT. IXYN75N65C3D1

 

IXYN75N65C3D1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXYN75N65C3D1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 65 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 330 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 122 nC
   Тип корпуса: SOT227

 Аналог (замена) для IXYN75N65C3D1

 

 

IXYN75N65C3D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  ixys
 ixyn75n65c3d1.pdf

IXYN75N65C3D1 IXYN75N65C3D1

Advance Technical InformationVCES = 650VXPTTM 650V IGBT IXYN75N65C3D1IC110 = 75AGenX3TM w/ Diode VCE(sat) 2.3V tfi(typ) = 60nsExtreme Light Punch throughIGBT for 20-60kHz SwitchingESOT-227B, miniBLOC E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsE VCES TJ = 25C to 175C 650 VGVCGR TJ = 25

Другие IGBT... IXYN100N120C3H1 , IXYN100N65A3 , IXYN100N65B3D1 , IXYN100N65C3H1 , IXYN120N120C3 , IXYN120N65B3D1 , IXYN120N65C3D1 , IXYN150N60B3 , SGT40N60NPFDPN , IXYN80N90C3H1 , IXYN82N120C3 , IXBF10N300C , IXBF14N300 , IXBF15N300C , IXBF20N360 , IXBF22N300 , IXBF28N300 .

 

 
Back to Top