Справочник IGBT. IXYH100N65B3

 

IXYH100N65B3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXYH100N65B3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 830 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 225 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 37 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 280 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 168 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXYH100N65B3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  ixys
 ixyh100n65b3.pdf pdf_icon

IXYH100N65B3

Advance Technical InformationVCES = 650VXPTTM 650V IGBT IXYH100N65B3IC110 = 100AGenX3TM VCE(sat) 1.85V tfi(typ) = 73nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 10-30kHz SwitchingTO-247Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VGVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VC Ta

 4.1. Size:232K  ixys
 ixyh100n65c3.pdf pdf_icon

IXYH100N65B3

Preliminary Technical InformationVCES = 650VXPTTM 650V IGBT IXYH100N65C3IC110 = 100AGenX3TM VCE(sat) 2.3V tfi(typ) = 60nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-247Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VGVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VC

 9.1. Size:233K  ixys
 ixyh120n65c3.pdf pdf_icon

IXYH100N65B3

Advance Technical InformationVCES = 650VXPTTM 650V IGBT IXYH120N65C3IC110 = 120AGenX3TM VCE(sat) 2.8V tfi(typ) = 46nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-247Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VGVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VC Tab

 9.2. Size:232K  ixys
 ixyh120n65b3.pdf pdf_icon

IXYH100N65B3

Advance Technical InformationVCES = 650VXPTTM 650V IGBT IXYH120N65B3IC110 = 120AGenX3TM VCE(sat) 1.90V tfi(typ) = 107nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 10-30kHz SwitchingTO-247Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VGVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VC T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXXQ30N60B3M , IXXX100N60B3H1 , IXXX110N60B4H1 , IXXX110N65B4H1 , IXXX160N65B4 , IXXX160N65C4 , IXXX200N65B4 , IXXX300N60C3 , RJP63K2DPP-M0 , IXYH100N65C3 , IXYH120N65B3 , IXYH120N65C3 , IXYH20N65B3 , IXYH20N65C3 , IXYH24N90C3 , IXYH24N90C3D1 , IXYH30N170C .

 

 
Back to Top

 


 
.