Справочник IGBT. IXYH100N65B3

 

IXYH100N65B3 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXYH100N65B3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 830
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 225
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.85
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 37
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 280
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXYH100N65B3

 

 

IXYH100N65B3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  ixys
 ixyh100n65b3.pdf

IXYH100N65B3 IXYH100N65B3

Advance Technical InformationVCES = 650VXPTTM 650V IGBT IXYH100N65B3IC110 = 100AGenX3TM VCE(sat) 1.85V tfi(typ) = 73nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 10-30kHz SwitchingTO-247Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VGVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VC Ta

 4.1. Size:232K  ixys
 ixyh100n65c3.pdf

IXYH100N65B3 IXYH100N65B3

Preliminary Technical InformationVCES = 650VXPTTM 650V IGBT IXYH100N65C3IC110 = 100AGenX3TM VCE(sat) 2.3V tfi(typ) = 60nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-247Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VGVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VC

 9.1. Size:233K  ixys
 ixyh120n65c3.pdf

IXYH100N65B3 IXYH100N65B3

Advance Technical InformationVCES = 650VXPTTM 650V IGBT IXYH120N65C3IC110 = 120AGenX3TM VCE(sat) 2.8V tfi(typ) = 46nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-247Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VGVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VC Tab

 9.2. Size:232K  ixys
 ixyh120n65b3.pdf

IXYH100N65B3 IXYH100N65B3

Advance Technical InformationVCES = 650VXPTTM 650V IGBT IXYH120N65B3IC110 = 120AGenX3TM VCE(sat) 1.90V tfi(typ) = 107nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 10-30kHz SwitchingTO-247Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VGVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VC T

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top