IXYH100N65B3 - аналоги и описание IGBT

 

IXYH100N65B3 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: IXYH100N65B3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 830 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 225 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 37 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 280 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXYH100N65B3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры IXYH100N65B3

 ..1. Size:233K  ixys
 ixyh100n65b3.pdf pdf_icon

IXYH100N65B3

Advance Technical Information VCES = 650V XPTTM 650V IGBT IXYH100N65B3 IC110 = 100A GenX3TM VCE(sat) 1.85V tfi(typ) = 73ns Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching TO-247 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V G VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 650 V C Ta

 4.1. Size:232K  ixys
 ixyh100n65c3.pdf pdf_icon

IXYH100N65B3

Preliminary Technical Information VCES = 650V XPTTM 650V IGBT IXYH100N65C3 IC110 = 100A GenX3TM VCE(sat) 2.3V tfi(typ) = 60ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching TO-247 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V G VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 650 V C

 9.1. Size:233K  ixys
 ixyh120n65c3.pdf pdf_icon

IXYH100N65B3

Advance Technical Information VCES = 650V XPTTM 650V IGBT IXYH120N65C3 IC110 = 120A GenX3TM VCE(sat) 2.8V tfi(typ) = 46ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching TO-247 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V G VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 650 V C Tab

 9.2. Size:232K  ixys
 ixyh120n65b3.pdf pdf_icon

IXYH100N65B3

Advance Technical Information VCES = 650V XPTTM 650V IGBT IXYH120N65B3 IC110 = 120A GenX3TM VCE(sat) 1.90V tfi(typ) = 107ns Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching TO-247 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V G VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 650 V C T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXXQ30N60B3M , IXXX100N60B3H1 , IXXX110N60B4H1 , IXXX110N65B4H1 , IXXX160N65B4 , IXXX160N65C4 , IXXX200N65B4 , IXXX300N60C3 , RJP63K2DPP-M0 , IXYH100N65C3 , IXYH120N65B3 , IXYH120N65C3 , IXYH20N65B3 , IXYH20N65C3 , IXYH24N90C3 , IXYH24N90C3D1 , IXYH30N170C .

 

 
Back to Top

 


 
.