Справочник IGBT. IXYF40N450

 

IXYF40N450 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXYF40N450
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 4500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 330 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 146 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 170 nC
   Тип корпуса: I4PAK
 

 Аналог (замена) для IXYF40N450

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXYF40N450 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  ixys
 ixyf40n450.pdf pdf_icon

IXYF40N450

Advance Technical InformationHigh Voltage XPTTM IGBTVCES = 4500VIXYF40N450IC110 = 32AVCE(sat) 3.9V(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 4500 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 4500 VVGES Continuous 20 V12VGEM Transient 30 VIsolated Tab5IC25 TC = 25C 60 A1

Другие IGBT... IXXR110N65B4H1 , IXYA15N65C3D1 , IXYA20N120C3HV , IXYA20N65B3 , IXYA20N65C3 , IXYA20N65C3D1 , IXYA50N65C3 , IXYF30N450 , SGT60U65FD1PT , IXA20PT1200LB , IXA20RG1200DHGLB , IXA220I650NA , IXA30RG1200DHGLB , IXA40I4000KN , IXA40RG1200DHGLB , IXA70R1200NA , ISL9V3040P3 .

History: NGTB35N60FL2WG | HIH30N60BP | IXGH22N50B | IXYA20N65C3 | RCM10N40

 

 
Back to Top

 


 
.