Справочник IGBT. ART10U120

 

ART10U120 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: ART10U120
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 29 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 50 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 34 nC
   Тип корпуса: TO220
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

ART10U120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:590K  artschip
 art10u120.pdf pdf_icon

ART10U120

ART10U120 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features High short circuit rating optimized for motor control Low conduction losses VCES=1200 V High switching speed VCE(on) typ. =4,0 V Tighter parameter distribution @VGE =15V, Ic=10A TO-220 N-channel ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Parameter Symbol Units MaxCollector-to-Emitter Voltage VCES V 1200Continuous Colle

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: IRG4PC40FDPBF | AOTF5B65M1 | MGB15N40CL

 

 
Back to Top

 


 
.