ART10U120 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: ART10U120
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.3 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 29 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 50 pF
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для ART10U120
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
ART10U120 даташит
art10u120.pdf
ART10U120 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features High short circuit rating optimized for motor control Low conduction losses VCES=1200 V High switching speed VCE(on) typ. =4,0 V Tighter parameter distribution @VGE =15V, Ic=10A TO-220 N-channel ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Parameter Symbol Units Max Collector-to-Emitter Voltage VCES V 1200 Continuous Colle
Другие IGBT... APT50GT120LRDQ2G , APT65GP60B2G , APT65GP60JDQ2 , APT75GN120JDQ3 , APT75GN60BDQ2G , APT75GN60LDQ3G , APT75GN60SDQ2G , APT75GT120JRDQ3 , JT075N065WED , ART20U120 , ART30U120 , ART40U120 , ART45U120SPEC , AUIRGDC0250 , SKM100GAL12T4 , SKM100GB12T4 , SKM100GB12T4G .
History: ART45U120SPEC | HIH30N60BP
History: ART45U120SPEC | HIH30N60BP
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sa1220 | 2sa940 | 2sc627 | 2sc680 | 2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor | 2sb560

