Справочник IGBT. ART20U120

 

ART20U120 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: ART20U120
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 630 pF
   Тип корпуса: TO247AC
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

ART20U120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:595K  artschip
 art20u120.pdf pdf_icon

ART20U120

ART20U120 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features High short circuit rating optimized for motor control Low conduction losses VCES=1200 V High switching speed VCE(on) typ. =3,8 V Tighter parameter distribution @VGE =15V, Ic=20A N-channel ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Parameter Symbol Units MaxCollector-to-Emitter Voltage VCES V 1200Continuous Collector Curr

Другие IGBT... APT65GP60B2G , APT65GP60JDQ2 , APT75GN120JDQ3 , APT75GN60BDQ2G , APT75GN60LDQ3G , APT75GN60SDQ2G , APT75GT120JRDQ3 , ART10U120 , NGD8201N , ART30U120 , ART40U120 , ART45U120SPEC , AUIRGDC0250 , SKM100GAL12T4 , SKM100GB12T4 , SKM100GB12T4G , SKM100GB12V .

History: IXGH30N60B2D1 | MMG200DR120B | IXGT30N60C3D1 | IRGP4068DPBF | VS-GB75LP120N | STGW80V60DF | SKM300GAR123D

 

 
Back to Top

 


 
.