ART40U120 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: ART40U120
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.3 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 23 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 120 pF
Тип корпуса: TO247AC
ART40U120 Datasheet (PDF)
art40u120.pdf
ART40U120 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features High short circuit rating optimized for motor control Low conduction losses VCES=1200 V High switching speed VCE(on) typ. =3, 0V Tighter parameter distribution @VGE =15V, Ic=40A N-channel ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Parameter Symbol Units MaxCollector-to-Emitter Voltage VCES V 1200Continuous Collector Curr
start405.pdf
START405NPN Silicon RF Transistor LOW NOISE FIGURE: NFmin = 1.1dB @ 1.8GHz, 2mA, 2V COMPRESSION P1dB = 5dBm @ 1.8GHz, 5mA, 2V TRANSITION FREQUENCY 42GHz LOW CURRENT CONSUMPTION ULTRA MINIATURE SOT343 PACKAGE SOT343 (SC70)ORDER CODE BRANDINGSTART405TR 405DESCRIPTIONThe START405 is a member of the START familythat provide the state of the art of RF silic
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2