Справочник IGBT. ART45U120SPEC

 

ART45U120SPEC Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: ART45U120SPEC
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: 1GBT1200
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 45 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 140 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 180 nC
   Тип корпуса: TO247AC
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

ART45U120SPEC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  artschip
 art45u120spec.pdf pdf_icon

ART45U120SPEC

ART45U120(1GBT1200) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features High short circuit rating optimized for motor control Low conduction losses VCES=1200 V High switching speed VCE(on) typ. =3,1V Tighter parameter distribution @VGE =15V, Ic=45A ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Parameter Symbol Units MaxCollector-to-Emitter Voltage VCES V 1200Continuous Collector Current

 9.1. Size:76K  st
 start450.pdf pdf_icon

ART45U120SPEC

START450NPN Silicon RF Transistor COMPRESSION POINT P1dB=19dBm @ 1.8GHz TRANSITION FREQUENCY 42GHz HIGH LINEARITY ULTRA MINIATURE SOT343(SC70) PACKAGESOT343 (SC70)ORDER CODE BRANDINGSTART450TR 450DESCRIPTIONThe START450 is a member of the START family thatAPPLICATIONSprovide the state of the art of RF silicon process to themarket. Manufacturated in the thi

Другие IGBT... APT75GN60BDQ2G , APT75GN60LDQ3G , APT75GN60SDQ2G , APT75GT120JRDQ3 , ART10U120 , ART20U120 , ART30U120 , ART40U120 , CRG60T60AK3HD , AUIRGDC0250 , SKM100GAL12T4 , SKM100GB12T4 , SKM100GB12T4G , SKM100GB12V , SKM100GB176D , SKM145GAL176D , SKM145GB066D .

 

 
Back to Top

 


 
.