IXGH32N60B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IXGH32N60B  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 230 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IXGH32N60B

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGH32N60B даташит

 ..1. Size:34K  ixys
 ixgh32n60b.pdf pdf_icon

IXGH32N60B

HiPerFASTTM IGBT IXGH32N60B VCES = 600 V IC25 = 60 A VCE(sat) = 2.5 V tfi = 80 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 600 V VGES Continuous 20 V C (TAB) VGEM Transient 30 V G C IC25 TC = 25 C60 A E IC90 TC = 90 C32 A G = Gate, C = Collector, ICM TC = 25 C, 1 ms 120 A E = Emitter, TAB = Col

 0.1. Size:125K  ixys
 ixgh32n60bd1.pdf pdf_icon

IXGH32N60B

IXGH 32N60B HiPerFASTTM IGBT VCES = 600 V IXGT 32N60B IC25 = 60 A IXGH 32N60BD1 VCE(sat) = 2.3 V IXGT 32N60BD1 tfi(typ) = 85 ns (D1) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) G VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V E C VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V (TAB) VGES Continuous 20 V TO-247 AD VGEM Transient 30 V (IXGH) IC25 TC = 25 C60 A IC90 TC = 90 C3

 0.2. Size:137K  ixys
 ixgh32n60bu1.pdf pdf_icon

IXGH32N60B

IXGH 32N60BU1 VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IC25 = 60 A with Diode VCE(sat) = 2.3 V tfi = 80 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V C (TAB) VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E G = Gate, C = Collector, IC25 TC = 25 C60 A E = Emitter, TAB = Collector IC90 TC = 90 C32 A IC

 5.1. Size:48K  ixys
 ixgh32n60au1 ixgh32n60au1s.pdf pdf_icon

IXGH32N60B

IXGH 32N60AU1 IXGH 32N60AU1S VCES = 600 V IC25 = 60 A HiPerFASTTM IGBT with Diode VCE(sat) = 2.9V Combi Pack tfi = 125 ns TO-247 SMD (32N60AU1S) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V G C (TAB) E VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V TO-247 AD VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C60 A IC90 TC = 90 C32 A C (TAB)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGH30N60BD1, IXGH30N60BU1, IXGH31N60, IXGH31N60D1, IXGH32N50B, IXGH32N50BU1, IXGH32N60A, IXGH32N60AU1, GT45F122, IXGH32N60BD1, IXGH32N60BU1, IXGH32N60C, IXGH32N60CD1, IXGH38N60, IXGH39N60B, IXGH39N60BD1, IXGH39N60BS