SSF1007 - описание и поиск аналогов

 

SSF1007 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SSF1007
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 258 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 108 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 454 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SSF1007

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF1007 технические параметры

 ..1. Size:410K  silikron
ssf1007.pdfpdf_icon

SSF1007

SSF1007 Main Product Characteristics VDSS 100V RDS(on) 5.8mohm Typ ID 130A Features and Benefits SSF1007 TOP View (TO220) Advanced trench MOSFET process technology Special designed for convertors and power controls Ultra low on-resistance 175 operating temperature High Avalanche capability and 100% tested Description It utilizes the latest trench

 8.1. Size:659K  silikron
ssf1009.pdfpdf_icon

SSF1007

SSF1009 Main Product Characteristics VDSS 100V RDS(on) 7.2mohm(typ.) ID 100A Ma r k ing an d pin Sche ma ti c di agr a m TO220 Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body rec

 8.2. Size:672K  silikron
ssf1006.pdfpdf_icon

SSF1007

SSF1006 Main Product Characteristics VDSS 100V RDS(on) 4.6m (typ.) ID 200A Mar ki ng a nd p in Sche ma ti c di agr a m TO220 Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body

 8.3. Size:921K  silikron
ssf1006a.pdfpdf_icon

SSF1007

SSF1006A Feathers ID =200A Advanced trench process technology BV=100V avalanche energy, 100% test Rdson=4.7m Typ. Fully characterized avalanche voltage and current Description The SSF1006A is a new generation of high voltage and low current N Channel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device reliability and electri

Другие MOSFET... 2SJ585LS , 2SJ589LS , 2N7002KB , 2N7002KG8 , SSF0115 , SSF1006 , SSF1006A , SSF1006H , TK10A60D , SSF1009 , SSF1010 , SSF1010A , SSF1016 , SSF1016A , SSF1016D , SSF1020 , SSF1020A .

 

 
Back to Top

 


 
.