Справочник MOSFET. CM13N50F

 

CM13N50F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CM13N50F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220FH
 

 Аналог (замена) для CM13N50F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CM13N50F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:147K  jdsemi
cm13n50f to220fh.pdfpdf_icon

CM13N50F

RCM13N50F www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 500V N-Channel VDMOS RoHS

 7.1. Size:130K  jdsemi
cm13n50.pdfpdf_icon

CM13N50F

RC1N0M35 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 500V N-Channel VDMOS RoHS 12 3

Другие MOSFET... CM120N06 , CM12N60A , CM12N60AF , CM12N65 , CM12N65A , CM12N65AF , CM12N65F , CM13N50 , IRF740 , CM140N04 , CM15N50 , CM18N20 , CM18N50F , CM18N50P , 1D5N60 , CM1N60 , CM1N60C .

History: IPP50R190CE | IRF7832 | STP18N10 | 2N6791LCC4 | FCP11N60F | KDW2503N | FS5VS-6

 

 
Back to Top

 


 
.