Справочник MOSFET. AP65SL190DI

 

AP65SL190DI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP65SL190DI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP65SL190DI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:217K  ape
ap65sl190di.pdfpdf_icon

AP65SL190DI

AP65SL190DIHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.19 Simple Drive Requirement ID3,4 20AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65SL190D series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the

 4.1. Size:201K  ape
ap65sl190dp.pdfpdf_icon

AP65SL190DI

AP65SL190DPHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.19 Simple Drive Requirement ID3,4 20AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65SL190D series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the

 4.2. Size:202K  ape
ap65sl190dwl.pdfpdf_icon

AP65SL190DI

AP65SL190DWLHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650VD Low trr / Qrr RDS(ON) 0.19 Simple Drive Requirement ID3 20AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65SL190D series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest possible

 4.3. Size:108K  ape
ap65sl190dr.pdfpdf_icon

AP65SL190DI

AP65SL190DRHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650VD Low trr / Qrr RDS(ON) 0.19 Simple Drive Requirement ID3,4 20AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65SL190D series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the lowest possible

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: SRT10N047HTL | IRFIBE30G | 8N60KL-TF3T-T | CJK3401A | AP3P028LM | VS4620GP | STF28N60M2

 

 
Back to Top

 


 
.