Справочник MOSFET. AP18P10GH-HF

 

AP18P10GH-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP18P10GH-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AP18P10GH-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP18P10GH-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:102K  ape
 ap18p10gh-hf ap18p10gj-hf.pdf pdf_icon

AP18P10GH-HF

AP18P10GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 180m Fast Switching Characteristic ID -12AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,G

 5.1. Size:174K  ape
 ap18p10gh.pdf pdf_icon

AP18P10GH-HF

AP18P10GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 180m Fast Switching Characteristic ID -12AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,GDruggedized device design, low on-r

 6.1. Size:169K  ape
 ap18p10gm.pdf pdf_icon

AP18P10GH-HF

AP18P10GM-HFHalogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS -100VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 180mD Fast Switching Characteristic ID -2.7AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DDescriptionAP18P10 series are

 6.2. Size:172K  ape
 ap18p10gk.pdf pdf_icon

AP18P10GH-HF

AP18P10GK-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS -100VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 160mS Fast Switching Characteristic ID -3.1AD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-223GDDescriptionAP18P10 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP15P10GP-HF , AP15P10GS-HF , AP15T03GJ , AP15T25H-HF , AP16N50P-HF , AP16N50W-HF , AP1801GU , AP1802GU , CS150N03A8 , AP18P10GJ-HF , AP18T10GH , AP18T10GJ , AP1A003GMT-HF , AP6679BGJ-HF , AP6679GH , AP6679GI , AP6679GJ .

History: IRLZ24L | SRT06N095LD56G | IPP048N12N3G | IPP90N06S4L-04 | NCE30PD08S | 8N60F | FDB44N25

 

 
Back to Top

 


 
.