Справочник MOSFET. ZDX050N50

 

ZDX050N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ZDX050N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FM
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZDX050N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:491K  rohm
zdx050n50.pdfpdf_icon

ZDX050N50

ZDX050N50 Nch 500V 5A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS500V TO-220FMRDS(on) (Max.)1.5W(3) ID5A(2) (1) PD40WlFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V.(3) Source 4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-free lead

Другие MOSFET... FDZ3N513ZT , FDZ4670 , FDZ4670S , FDZ493P , FDZ5047N , FDZ7064AS , FDZ7064N , FDZ7296 , AO3407 , ZDX080N50 , ZVN0106A , ZVN0124ASTOA , ZVN0124ASTOB , ZVN0124ASTZ , ZVN0540ASTOA , ZVN0540ASTOB , ZVN0540ASTZ .

History: 4N80L-TF2-T | RU20E8H

 

 
Back to Top

 


 
.