ZVN3306FTC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: ZVN3306FTC
Маркировка: MC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.33 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для ZVN3306FTC
ZVN3306FTC Datasheet (PDF)
zvn3306fta zvn3306ftc.pdf

SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN3306FMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 JANUARY 1996FEATURES* RDS(on)=5S* 60 Volt VDSDCOMPLEMENTARY TYPE - ZVP3306FGPARTMARKING DETAIL - MCSOT23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 60 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 150 mAPulsed Drain Current IDM 3AGate-Source Voltage VGS 20
zvn3306fta.pdf

ZVN3306FTAwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (mA)Definition2.8 at VGS = 10 V60 250 Low Threshold: 2 V (typ.) Low Input Capacitance: 25 pF Fast Switching Speed: 25 ns Low Input and Output LeakageSOT-23 TrenchFET Power MOSFET 1200V ESD ProtectionG
zvn3306f.pdf

SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN3306FMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 JANUARY 1996FEATURES* RDS(on)=5S* 60 Volt VDSDCOMPLEMENTARY TYPE - ZVP3306FGPARTMARKING DETAIL - MCSOT23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 60 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 150 mAPulsed Drain Current IDM 3AGate-Source Voltage VGS 20
zvn3306astoa zvn3306astob zvn3306astz.pdf

N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN3306AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 60 Volt VDS* RDSon)=5D G SID=E-Line1ATO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.0.5APARAMETER SYMBOL VALUE UNIT0.25ADrain-Source Voltage VDS 60 V10Continuous Drain Current at Tamb=25C ID 270 mAPulsed Drain Current IDM 3Acs Gate-Source Voltage VGS 20 VPower Dissip
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: FRK9260H | FS70UM-2 | ZVN3306FTA | FS70KMJ-03F | NTD70N03R | FDZ1905PZ | ZVN2106ASTOB
History: FRK9260H | FS70UM-2 | ZVN3306FTA | FS70KMJ-03F | NTD70N03R | FDZ1905PZ | ZVN2106ASTOB



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMPL1050PU | JMPL1050PK | JMPL1050PG | JMPL1050AY | JMPL1050AUQ | JMPL1050AU | JMPL1050APD | JMPL1050AP | JMPL1050AKQ | JMPL1050AK | JMPL1050AGQ | JMPL1050AG | JMPL1050AE | JMPF8N60BJ | JMPF840BJ | JMPF7N65BJ
Popular searches
bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m