ZVN3310FTC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ZVN3310FTC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.33 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для ZVN3310FTC
ZVN3310FTC Datasheet (PDF)
zvn3310fta zvn3310ftc.pdf
A Product Line ofDiodes IncorporatedZVN3310F 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Product Summary Features and Benefits High pulse current handling in linear mode VDS (V) 100 Low input capacitance RDS(ON) () 10 Fast switching speed Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) Description and
zvn3310f.pdf
A Product Line ofDiodes IncorporatedZVN3310F 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Product Summary Features and Benefits High pulse current handling in linear mode VDS (V) 100 Low input capacitance RDS(ON) () 10 Fast switching speed Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) Description and
zvn3310a.pdf
N-CHANNEL ENHANCEMENT0A ZVN3310AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 100 Volt VDS* RDS(on)= 10VGS=10V D G9V S8V7V E-Line6VTO92 Compatible5VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.4VPARAMETER SYMBOL VALUE UNIT3VDrain-Source Voltage VDS 100 V8 10Continuous Drain Current at Tamb=25C ID 200 mAPulsed Drain Current IDM 2AGate-Source Voltage VGS
zvn3310astob zvn3310astz.pdf
N-CHANNEL ENHANCEMENT0A ZVN3310AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 100 Volt VDS* RDS(on)= 10VGS=10V D G9V S8V7V E-Line6VTO92 Compatible5VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.4VPARAMETER SYMBOL VALUE UNIT3VDrain-Source Voltage VDS 100 V8 10Continuous Drain Current at Tamb=25C ID 200 mAPulsed Drain Current IDM 2AGate-Source Voltage VGS
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918