ZVN4206AVSTOB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: ZVN4206AVSTOB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: TO-92
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
ZVN4206AVSTOB Datasheet (PDF)
zvn4206avstob zvn4206avstz.pdf

N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN4206AVMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 - APRIL 1998FEATURES* 60 Volt VDS* RDS(on)= 1* Repetitive avalanche rating* No transient protection requiredD* Characterised for 5V logic drive G SAPPLICATIONS* Automotive relay driversE-Line* Stepper motor driverTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Vol
zvn4206astoa zvn4206astob zvn4206astz zvn4206avstoa.pdf

N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN4206AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 JUNE 94FEATURES* 60 Volt VDS* RDS(on) =1DGSE-LINETO92 COMPATIBLEABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 60 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 600 mAPulsed Drain Current IDM 8AGate-Source Voltage VGS 20 VPower Dissipation at Tamb=25C Ptot 0.7 W
zvn4206av.pdf

N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN4206AVMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 - APRIL 1998FEATURES* 60 Volt VDS* RDS(on)= 1* Repetitive avalanche rating* No transient protection requiredD* Characterised for 5V logic drive G SAPPLICATIONS* Automotive relay driversE-Line* Stepper motor driverTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Vol
zvn4206a.pdf

N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN4206AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 JUNE 94FEATURES* 60 Volt VDS* RDS(on) =1DGSE-LINETO92 COMPATIBLEABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 60 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 600 mAPulsed Drain Current IDM 8AGate-Source Voltage VGS 20 VPower Dissipation at Tamb=25C Ptot 0.7 W
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: IRF241 | NCE70T180D
History: IRF241 | NCE70T180D



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
a933 | 2sa818 replacement | irfb3607 datasheet | 2n2907 equivalent | c2026 | mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor | irf3205 equivalent