ZVN4206AVSTZ - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

ZVN4206AVSTZ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: ZVN4206AVSTZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-92

Аналог (замена) для ZVN4206AVSTZ

ZVN4206AVSTZ Datasheet (PDF)

..1. Size:90K diodes
zvn4206avstob zvn4206avstz.pdf

N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN4206AVMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 - APRIL 1998FEATURES* 60 Volt VDS* RDS(on)= 1* Repetitive avalanche rating* No transient protection requiredD* Characterised for 5V logic drive G SAPPLICATIONS* Automotive relay driversE-Line* Stepper motor driverTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Vol

3.1. Size:86K diodes
zvn4206astoa zvn4206astob zvn4206astz zvn4206avstoa.pdf

N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN4206AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 JUNE 94FEATURES* 60 Volt VDS* RDS(on) =1DGSE-LINETO92 COMPATIBLEABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 60 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 600 mAPulsed Drain Current IDM 8AGate-Source Voltage VGS 20 VPower Dissipation at Tamb=25C Ptot 0.7 W

5.1. Size:98K diodes
zvn4206av.pdf